三星高管：预计明年HBM将占DRAM全球产能近三成
AI需求推动存储厂商加码HBM，传统DRAM供应承压。三星高管预计明年HBM将占全球DRAM晶圆总产能近三成，市场研究机构同时上调了2027年HBM价格预期。
三星电子执行副总裁Kim Taewoo 9月29日表示，预计明年HBM将占DRAM厂商晶圆总产能的近30%，目前该比例约为20%。HBM与传统DRAM争夺同一批晶圆产能，扩大HBM产出可能挤压传统DRAM供应。
三星已于2月开始量产出货HBM4，5月向英伟达等客户提供了12层HBM4E样品。业内预计三星HBM月均晶圆投入量将由今年约18万片增至明年约25万片，增幅近四成。
—— 财联社
AI需求推动存储厂商加码HBM，传统DRAM供应承压。三星高管预计明年HBM将占全球DRAM晶圆总产能近三成，市场研究机构同时上调了2027年HBM价格预期。
三星电子执行副总裁Kim Taewoo 9月29日表示，预计明年HBM将占DRAM厂商晶圆总产能的近30%，目前该比例约为20%。HBM与传统DRAM争夺同一批晶圆产能，扩大HBM产出可能挤压传统DRAM供应。
三星已于2月开始量产出货HBM4，5月向英伟达等客户提供了12层HBM4E样品。业内预计三星HBM月均晶圆投入量将由今年约18万片增至明年约25万片，增幅近四成。
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