三星发布下一代AI存储路线图，展示zHBM和400层以上V10 NAND技术
三星电子在FMS大会上，公布面向人工智能基础设施的下一代存储技术路线，首次展示zHBM、zNAND-O概念产品，并推出采用晶圆键合技术的400层以上V10 BV-NAND。
zHBM旨在通过将HBM垂直堆叠于AI加速器上方，缩短处理器与内存之间的数据传输距离，以提升AI训练和推理性能。搭载下一代接口系统的zHBM预计性能可达到HBM5的约八倍，同时借助新型晶圆键合技术，实现超过HBM5 10倍的内存密度，并提升能效。
在NAND领域，三星首次发布V10 BV-NAND架构，通过晶圆键合技术堆叠存储单元，层数超过400层，较上一代V9产品内存密度提升约58%，同时改善读写和输入输出性能。
—— 界面新闻
三星电子在FMS大会上，公布面向人工智能基础设施的下一代存储技术路线，首次展示zHBM、zNAND-O概念产品，并推出采用晶圆键合技术的400层以上V10 BV-NAND。
zHBM旨在通过将HBM垂直堆叠于AI加速器上方，缩短处理器与内存之间的数据传输距离，以提升AI训练和推理性能。搭载下一代接口系统的zHBM预计性能可达到HBM5的约八倍，同时借助新型晶圆键合技术，实现超过HBM5 10倍的内存密度，并提升能效。
在NAND领域，三星首次发布V10 BV-NAND架构，通过晶圆键合技术堆叠存储单元，层数超过400层，较上一代V9产品内存密度提升约58%，同时改善读写和输入输出性能。
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