英特尔试产最先进技术18A-P产品 功耗降两成
美国英特尔 6月16日宣布，采用其最先进半导体制造技术 “18A-P” 的产品已进入试生产阶段。该技术在保持与2025年量产的2纳米级微缩工艺 “18A” 相同性能的同时，可将功耗降低18%。这一消息是在美国夏威夷州举行的半导体国际会议VLSI Symposium期间公布的。18A-P技术还具备另一项优势，即若维持与18A相同的功耗水平，其性能可提升9%。英特尔通过重新调整材料与设计，并提高耐热性能，实现了这一改进。18A技术目前主要用于面向PC和数据中心的 CPU 等产品，而18A-P则属于其衍生升级版本。制造技术的持续进步也有望帮助英特尔改善其当前面临经营压力的晶圆代工业务。
—— 日经新闻、CNBC
美国英特尔 6月16日宣布，采用其最先进半导体制造技术 “18A-P” 的产品已进入试生产阶段。该技术在保持与2025年量产的2纳米级微缩工艺 “18A” 相同性能的同时，可将功耗降低18%。这一消息是在美国夏威夷州举行的半导体国际会议VLSI Symposium期间公布的。18A-P技术还具备另一项优势，即若维持与18A相同的功耗水平，其性能可提升9%。英特尔通过重新调整材料与设计，并提高耐热性能，实现了这一改进。18A技术目前主要用于面向PC和数据中心的 CPU 等产品，而18A-P则属于其衍生升级版本。制造技术的持续进步也有望帮助英特尔改善其当前面临经营压力的晶圆代工业务。
—— 日经新闻、CNBC
