俄罗斯宣布自研比 ASML 更便宜更易制造的 EUV 光刻机
俄罗斯联邦已公布自主开发 EUV 光刻机的路线图，目标是比 ASML 的光刻机更便宜、更容易制造。这些设备将采用11.2纳米的激光光源，而非 ASML 标准的13.5纳米。这种波长将与现有的 EUV 设备不兼容，需要俄罗斯开发自己的光刻生态系统，这可能需要十年或更长时间。
该项目计划由俄罗斯科学院微结构物理研究所的尼古拉·奇卡洛领导，目的是制造性能具竞争力且具成本优势的 EUV 光刻机，以对抗 ASML 的设备。奇卡洛表示，11.2纳米波长的分辨率提高了20%，可以提供更精细的细节，同时简化设计并降低光学元件的成本。
—— Tom's Hardware
俄罗斯联邦已公布自主开发 EUV 光刻机的路线图，目标是比 ASML 的光刻机更便宜、更容易制造。这些设备将采用11.2纳米的激光光源，而非 ASML 标准的13.5纳米。这种波长将与现有的 EUV 设备不兼容，需要俄罗斯开发自己的光刻生态系统，这可能需要十年或更长时间。
该项目计划由俄罗斯科学院微结构物理研究所的尼古拉·奇卡洛领导，目的是制造性能具竞争力且具成本优势的 EUV 光刻机，以对抗 ASML 的设备。奇卡洛表示，11.2纳米波长的分辨率提高了20%，可以提供更精细的细节，同时简化设计并降低光学元件的成本。
—— Tom's Hardware
