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三星电子就 HBM 芯片测试问题表态三星电子24日表示，正与全球多家合作伙伴顺利进行高带宽内存（HBM）产品的供应测试

  1. 风向旗参考快讯
    三星 HBM 芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试 三位知情人事表示，由于发热和功耗问题，三星电子最新的高带宽内存 (HBM) 芯片未能通过英伟达的测试，无法用于这家美国公司的人工智能处理器。消息人士表示，这影响了三星的 HBM3 (第四代)、HBM3E (第五代) 芯片。这是首次报道三星未能通过英伟达测试的原因。三星在给路透社的声明中表示， HBM 是一种定制的内存产品，需要“根据客户需求进行优化过程”，并补充说，该公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。三星拒绝对具体客户发表评论。 —— 路透社
    三星电子就 HBM 芯片测试问题表态

    三星电子24日表示，正与全球多家合作伙伴顺利进行高带宽内存（HBM）产品的供应测试。公司方面表示，将继续致力于提升所有产品的质量和可靠性，为客户提供最佳解决方案。外国媒体早前引述知情人士消息报道称，三星电子的 HBM 芯片因发热和功耗问题尚未通过美国半导体巨头英伟达的测试。

    —— 韩联社